Анни » 03 ноя 2009, 08:16
Будущее флэш
На сегодняшний день технология флэш продолжает активно развиваться – регулярно появляются новые модели с постоянно возрастающими характеристиками, объем продаж увеличиваются с завидной стабильностью. Вроде производителям и нечего больше желать. На самом деле это не так, похоже, что ресурс совершенствования классической памяти уже практически исчерпан, крупнейшие производители уже напрямую приблизились к тому пределу, через который привычный флэш перешагнуть уже не сможет. Даже по самым оптимистичным прогнозам эволюция флэш-памяти полностью прекратиться уже к 2010 году. Поэтому в последние годы начались активные поиски решения способного в перспективе забрать у flash пальму первенства. Очевидно, что развитие носителей должно и дальше двигаться в сторону уменьшения их физических размеров, увеличения плотности записи, повышения скоростных характеристик, понижения энергопотребления, продления ресурса работы, а, возможно, и вообще перехода на «вечные» носители. Так что предлагаю взглянуть на технологии, которые на данный момент имеют наибольшие шансы заполучить через несколько лет место под солнцем.
Большие планы строят фирмы Freescale и Infineon в отношении памяти MRAM (Magnetic RAM). Эта технология основана на применении магнитной памяти, состоящей из ферромагнетика особой структуры, способного изменять свое сопротивление при изменении намагниченности. К огромным плюсам MRAM относятся неограниченный ресурс перезаписи и просто феноменальная скорость доступа. Если развитие памяти пойдет по намеченному производителями пути, то, возможно, MRAM попробует даже замахнуться и на трон классической оперативной памяти. Но, конечно, до этого пока далеко. Несмотря на то, что данные микросхемы уже вплотную приближается к коммерческому производству, они до сих пор обходятся слишком дорого, да и объемы работоспособных прототипов пока ограничены лишь 16 Мб. В качестве еще одного серьезного претендента на звание памяти будущего рассматривают технологию OUM (Ovonic Unified Memory), разрабатываемую одноименной фирмой Ovonics при активном участии Intel. Эта технология слегка напоминает принцип работы оптических перезаписываемых носителей: функционирование такой памяти основано на том, что при пропускании через халькогенидный сплав напряжения он заметно нагревается, вследствии чего переходит из кристаллического состояния в аморфное и прекращает пропускать электричество.
Создав матрицу из подобных ячеек, получим примитивную модель памяти. Уже сейчас OUM превосходит флэш по максимальному количеству циклов перезаписи и опережает по времени доступа. К тому же при массовом производстве ожидается довольно низкая себестоимость, поэтому у технологии OUM есть все шансы составить достойную конкуренцию флэш-памяти. Первые пробные чипы уже появились, однако разработчикам еще только предстоит разобраться с несколькими серьезными проблемными местами. В частности, пока не решен вопрос чрезмерного нагрева при активной работе. Конечно, есть еще множество разнообразных технологий, готовящихся к предстоящей войне с flash, но, бесспорно, самыми футуристическими и многообещающими экспертам видятся нанотехнологии. Самое просто применение, которое можно найти им во флэш-памяти – это заменить «плавающий» затвор транзистора на нанокристаллы кремния. Это в перспективе позволит значительно повысить надежность хранения информации и существенно уменьшить размер ячеек, причем есть все основания полагать, что данные идеи будет реализованы, ведь за них отвечает компания Motorola, а работа над этим проектом идет уже несколько лет. В более отдаленном будущем теоретически возможно применение нанотрубок для хранения информации, например, недавно был создан полноценный транзистор на их основе, хотя, конечно, ни о каких работоспособных образках самой памяти пока не идет и речи. Вообще, освоение нанотехнологии открывает безграничные горизонты совершенствования чипов памяти и остается лишь ждать, когда они доберутся до массового рынка